再见古惑🔞仔演员表❌ 電工電子級矽微粉, 聚酰亞胺薄膜在電工電子工業中的應用
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聚酰亞胺(an)薄膜在電工電(diàn)子工業中的應(yīng)用

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在(zài)高技術領域得(dé)到廣泛的應用(yòng)

在電工領域,由(yóu)于其優異的耐(nai)熱性和耐輻射(she)性,經常用作輻(fú)射環境下的耐(nài)高溫漆包線漆(qī)。在電子射線輻(fu)射的環境下,被(bèi)輻射的聚酞亞(ya)胺漆包線在1.XlO。rad時(shí)幾乎沒有劣化(huà),擊穿電壓沒有(you)下降,而耐磨耗(hào)性反而略有升(sheng)高。在射線輻射(she)的場合,被輻射(shè)漆包線的耐輻(fú)射順序爲:聚酰(xian)亞胺>聚酯亞胺(an)> 聚酯> 聚酰胺亞(yà)胺。聚酰亞胺薄(bao)膜的耐輻射性(xing)是塑料薄膜中(zhōng)最好的。經射線(xian)輻射後,當輻射(she)劑量達10。rad時,材料(liào)的拉伸強度下(xia)降約25 9/5~3O 9/6,伸長率下(xià)降約45 ~ 5O 9/6,彈性模量(liang)隻損失5 9/6,體積電(diàn)阻率、介電常數(shu)和損耗因數幾(jǐ)乎沒有改變。在(zài)低溫下,聚酰亞(yà)胺材料具有良(liang)好的機械和電(diàn)性能,薄膜(O.05lmm)在一(yi)96℃ 的伸長率保持(chi)率(與室溫比較(jiao))約爲35 ~ 4O ,拉伸強度(dù)和彈性模量提(ti)高約1.3倍。在液氮(dan)溫度下,材料的(de)體積電阻率比(bi)室溫時高,約爲(wèi)2×1015歐姆。介電常數(shù)在室溫至4K的整(zhěng)個溫度範圍内(nèi)變化很小, 約在(zai)3.0~3.2之間。薄膜材料(liao)(O.O03mm)的擊穿電壓随(suí)低溫下降的變(biàn)化很小。與室溫(wēn)下相比,液氮溫(wen)度下電氣強度(dù)下降約lO%,薄膜材(cái)料(100)在室溫下空(kōng)氣中的交流電(dian)氣強度約爲3×102MV/m,液(ye)氦溫度下爲2×102MV/m。

在(zài)半導體及微電(diàn)子工業上的應(ying)用(聚酰亞胺薄(bao)膜)

(2)粒子遮擋膜(mó):随着集成電路(lù)密度和芯片尺(chi)寸的不斷增大(da),其抗輻射的性(xing)能也更顯重要(yao)。高純度的聚酰(xiān)亞胺塗層膜是(shì)一種有效的耐(nai)輻射和抗粒子(zi)的遮擋材料。在(zai)元器件外殼的(de)鈍化膜上塗覆(fù)50一100單位的射線(xiàn)遮擋層可防止(zhǐ)由微量鈾和牡(mǔ)等釋放的射線(xiàn)而造成的存儲(chu)器錯誤。當然,聚(jù)酰亞胺塗覆樹(shù)脂中含鈾物質(zhì)的含量也要很(hěn)低,用于256kDRAM的樹脂(zhī)要求鈾的含量(liàng)低于0.1pph。另外,聚酰(xian)亞胺優良的機(ji)械性可防止芯(xīn)片在後續的封(feng)裝過程中破裂(lie)。

(3)微電子器件的(de)鈍化層和緩沖(chòng)内塗層:聚酰亞(yà)胺薄膜作爲鈍(dùn)化層和緩沖保(bao)護層在微電子(zǐ)工業上應用非(fei)常廣泛。PI塗層可(kě)有效地阻滞電(dian)子遷移、防止腐(fu)蝕。PI層保護的元(yuán)器件具有很低(dī)的漏電流,可增(zeng)加器件的機械(xie)性能,防止化學(xué)腐蝕,也可有效(xiào)地增加元器件(jiàn)的抗潮濕能力(lì)。PI薄膜具有緩沖(chòng)功能,可有效地(dì)降低由于熱應(ying)力引起的電路(lu)崩裂斷路,減少(shǎo)元器件在後續(xu)的加工、封裝和(hé)後處理過程中(zhōng)的損傷。雖然聚(ju)酰亞胺塗層可(ke)有效避免塑封(feng)器件的崩裂,但(dàn)效果與使用的(de)聚酰亞胺薄膜(mó)的性能密切相(xiàng)關。一般地,具有(yǒu)良好粘接性能(néng),玻璃化轉變溫(wēn)度高于焊接溫(wen)度,低吸水率的(de)聚酰亞胺是理(lǐ)想的防止器件(jiàn)崩裂的内塗材(cai)料。

(4)多層金屬互(hu)聯電路的層間(jian)介電材料:聚酰(xiān)亞胺薄膜可作(zuò)爲多層布線技(jì)術中多層金屬(shǔ)互聯結構的層(ceng)間介電材料。多(duo)層布線技術是(shi)研制生産具有(you)三維立體交叉(chā)結構超大規模(mo)高密度高速度(du)集成電路的關(guan)鍵技術。在芯片(piàn)上采用多層金(jīn)屬互聯可以顯(xiǎn)著縮小器件間(jiān)的連線密度,減(jiǎn)少RC時間常數和(hé)芯片占用面積(ji),大幅度提高集(jí)成電路的速度(du)、集成度和可靠(kào)性。多層金屬互(hu)聯工藝與目前(qian)常用的鋁基金(jīn)屬互聯和氧化(huà)物介質絕緣工(gōng)藝不同,它主要(yào)采用高性能聚(jù)酰亞胺薄膜材(cái)料爲介電絕緣(yuan)層,銅或鋁爲互(hù)聯導線,利用銅(tong)的化學機械抛(pāo)光。該技術的主(zhu)要優點在于利(li)用了銅的高電(diàn)導和抗電遷移(yí)性能、聚酰亞胺(àn)材料的低介電(dian)常數、平坦化性(xìng)能以及良好的(de)可制圖性能。